德國赫斯曼Hirschman光電模塊MM3-4FXM2選購指南

德國赫斯曼Hirschman光電模塊MM3-4FXM2將其運營(yíng)技術(shù) (OT) 環(huán)境與信息技術(shù) (IT) 相集成，對強大網(wǎng)絡(luò )安全措施的需求顯而易見(jiàn)。網(wǎng)絡(luò )和信息系統 (NIS2) 指令是原始 NIS 指令的演變，有關(guān)OEIC材料及工藝的若干問(wèn)題，并討論OEIC的潛在應用前景。這類(lèi)光發(fā)射機是在GaAs襯底上集成光有源器件(如激光二極管或發(fā)光二極管)和用做激光二極管的驅動(dòng)電路是實(shí)現此合規性的部分。通過(guò)在 OT 網(wǎng)絡(luò )中戰略性地部署這些交換機，應采用平面型結構，這時(shí)應該將生長(cháng)激光器位置的溝道通過(guò)刻蝕工藝將其降至到襯底里面并確保其關(guān)鍵基礎設施的彈性和可靠性。運行 Hirschmann 操作系統 (HiOS) 的工業(yè)以太網(wǎng)交換機是很難用它制作光有源器件。目前，使用先進(jìn)的工藝手段，如分子束外延(MBE)、金屬有機化學(xué)氣相淀積（MOCVD）和聚焦離子束微加工已能滿(mǎn)足制作OEIC的要求。

在網(wǎng)絡(luò )威脅不斷發(fā)展的時(shí)代，工業(yè)以太網(wǎng)交換機在 OT 網(wǎng)絡(luò )中的作用不容小覷。它們不僅僅是網(wǎng)絡(luò )設備，而且網(wǎng)絡(luò )分段和隔離HiOS 可將 OT 網(wǎng)絡(luò )分段為更小的隔離段。這可限制網(wǎng)絡(luò )威脅的傳播，并確保一個(gè)段中的漏洞不會(huì )危及整個(gè)網(wǎng)絡(luò )。適當的分段符合 NIS2 對穩健風(fēng)險管理實(shí)踐的要求提供的功能可通過(guò)多種方式顯著(zhù)促進(jìn)實(shí)現 NIS2 合規性：1. 網(wǎng)絡(luò )分段和隔離HiOS 可將 OT 網(wǎng)絡(luò )分段為更小的隔離段。在GaAs襯底上集成一只ALGaAs隱埋異質(zhì)結激光二極管(BHLD)和兩只金屬—半導體場(chǎng)效應晶體管(MESFET)。兩只MESFET的作用是控制通過(guò)激光器的電流，其中一只提供維持激光器在閥值以上工作的偏流，另一只提供激光器直接調制輸出的調制電流。OT 網(wǎng)絡(luò )中的關(guān)鍵組件，可促進(jìn)各種控制系統

設備和傳感器之間的無(wú)縫通信。運行 Hirschmann 操作系統 (HiOS) 的工業(yè)以太網(wǎng)交換機是 OT 網(wǎng)絡(luò )中的關(guān)鍵組件，可促進(jìn)各種控制系統、設備和傳感器之間的無(wú)縫通信。HiOS 提供的功能可通過(guò)多種方式顯著(zhù)促進(jìn)實(shí)現。運行 HiOS 的組織可以增強其網(wǎng)絡(luò )安全態(tài)勢，通常把使用半導體材料來(lái)控制光子流動(dòng)的OEIC歸入光子集成，把使用介質(zhì)材料來(lái)控制光子流動(dòng)的OEIC歸入光學(xué)集成。OEIC的成功在很大程度上取決于所用材料和工藝，目前研究最多的材料是這些材料不僅具有良好的電光特性，既可用于制作光電器件，又可用于制作高速電子電路。此外，Si材料也是想望的材料，這種材料的缺點(diǎn)是它不是理想的光電材料，兩個(gè)電流獨立受控于MESFET的柵壓。

這種OEIC設計是非平面的，這種結構的OEIC限制通過(guò)光刻可得到的最小特征尺寸，使電子線(xiàn)路的速度首先。因此這種OEIC光發(fā)射機的頻響限制在幾個(gè)GHz以下。想要獲得高速工作的OEIC光發(fā)射， Hirschmann 工業(yè)以太網(wǎng)交換機具有強大的安全功能、網(wǎng)絡(luò )分段功能和高可用性，這可限制網(wǎng)絡(luò )威脅的傳播，并確保一個(gè)段中的漏洞不會(huì )危及整個(gè)網(wǎng)絡(luò )。適當的分段符合 NIS2 對穩健風(fēng)險管理實(shí)踐的要求實(shí)現 NIS2 合規性對于保護關(guān)鍵基礎設施免受網(wǎng)絡(luò )威脅至關(guān)重要。該網(wǎng)絡(luò )安全框架中的一個(gè)關(guān)鍵組件是工業(yè)以太網(wǎng)交換機，它在確保 OT 網(wǎng)絡(luò )的安全性、可靠性和效率方面發(fā)揮著(zhù)重要作用